Gamintojo produkto numeris:
TSM3N100CP ROG
Product Overview
Gamintojas:
Taiwan Semiconductor Corporation
Detalių numeris:
TSM3N100CP ROG-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 1000V 2.5A TO252
Išsami aprašymas:
N-Channel 1000 V 2.5A (Tc) 99W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventorius:
12896875
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
TSM3N100CP ROG Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Taiwan Semiconductor
Pakuotė
-
Serijos
-
Produkto būsena
Discontinued at Digi-Key
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
1000 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
2.5A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
6Ohm @ 1.25A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
19 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
664 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
99W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-252 (DPAK)
Pakuotė / dėklas
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Pagrindinio produkto numeris
TSM3
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
TSM3N100CP ROGCT-DG
TSM3N100CP ROGDKR
TSM3N100CP ROGCT
TSM3N100CP ROGTR
TSM3N100CP ROGDKR-DG
TSM3N100CP ROGTR-DG
TSM3N100CPROGCT
TSM3N100CPROGDKR
TSM3N100CPROGTR
Standartinis paketas
2,500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
3 (168 Hours)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
STD3NK100Z
GAMINTOJAS
STMicroelectronics
PRIEINAMAS KIEKIS
1359
DiGi DALIES NUMERIS
STD3NK100Z-DG
VISO KAINA
0.95
Pakeitimo tipas
Direct
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
DMT8012LPS-13
MOSFET N-CH 80V 9A/65A PWRDI5060
TSM130NB06CR RLG
MOSFET N-CH 60V 10A/51A 8PDFN
TSM60NB380CP ROG
MOSFET N-CH 600V 9.5A TO252